3. Поясните, как зависят характеристики и параметры транзисторов от температуры.
4. Перечислите достоинства и недостатки схемы с общей базой.
5. Перечислите режимы работы биполярных транзисторов.
6. Нарисуйте схему включения биполярного транзистора различных структур с ОБ и укажите на ней полярности напряжений для всех режимов работы.
Определение А- параметров биполярных транзисторов
по статическим характеристикам
Цель: определить A-параметры по статическим характеристикам биполярного транзистора, включенного с общим эмиттером.
Оборудование и раздаточные материалы, калькулятор, индивидуальные задания, справочник [27].
Исходные данные
По статическим входным и выходным характеристикам заданного транзистора, включенного с ОЭ, в рабочей точке /60 и £/кэ0 :
1) определите /г-параметры /гПэ, /г12э, /г21э, Л21э и сравните с паспортными значениями;
2) по полученным значениям h-параметров для схемы с ОЭ определите /г-параметры для схемы с ОБ;
3) определите физические параметры транзистора. Тип транзистора, значения /60 и £/кэ0 и его статические характеристики задаются преподавателем из справочника [27] и выписываются в таблицу 8.
Таблица 8
Данные для расчета
|
|
Краткие теоретические сведения
При работе транзистора в усилительном режиме его свой- | г на определяются малосигнальными параметрами, для ко- трых транзистор можно считать линейным элементом. На практике наибольшее применение получили малосигнальные I ибридные или /г-параметры.
Значения /г-параметров зависят от способа включения ||мпзистора и на низких частотах могут быть определены по | м шческим характеристикам. При этом амплитуды малых то- нн| и напряжений заменяются приращениями. В результате \равнения приобретают вид:
Л^вх = ЛцА/.„ + \гЬитЕЫХ |
![]() | ![]() | ![]() | ||||||
![]() | ![]() | ![]() | ||||||
А^ивых = ^П^твх + ^22^твых I
= —nLS^- при Um шх = const - коэффициент передачи по току;
A U т ных
fcj, = А/'”МИ при / = const — выходная проводимость.
А У.и,
1/ и U „ — амплитуды входного и выходного напряжения, В;
ш вх /и вых
/ вх и/твых-амплитуды входного и выходного тока, А.
Порядок выполнения
1. В выбранном масштабе начертите из справочника статические входные и выходные характеристики заданного транзистора, включенного с ОЭ.
2. Определите И-параметры для схемы с ОЭ:
2.1. Параметры Л11э и ИПэ определите по входным характеристикам в рабочей точке О (рис. 9, а) по формулам:
А^бэ - ^11^6 + ^12^^кэ|
Л/к=Л21^6 + J’
2.1. Параметры Л[1э и ИПэ определите по входным характеристикам в рабочей точке О (рис. 9, а) по формулам:
^бэЛ ^бэВ | |
Л'б | = const ^6/1 В |
А^'бз | ^бэ О ~ ^ бэС |
А/КЗ | /б =const ^кэО ^ |
Примечание: следует помнить, что приращения А116э и д£/'бэ, в общем случае различны.
|
2.1. Параметры А21э и А22э определите по выходным характеристикам в рабочей точке О (рис. 9, б) по формулам:
= Д/к | i i | |
Д/« | / _ / 5 = const 64 62 | |
= ДП | 0 1 1 | |
Д^кэ | /g = const ^кэо ^кэС |
А |
21э |
А |
22э |
Примечание: следует помнить, что приращения Д/ и А/' различны, т.к. определяются при разных условиях.
3. Определите A-параметры для схемы с ОБ.
Между A-параметрами транзистора для схемы с ОБ и ОЭ существует следующая взаимосвязь:
*216
1 + *216
№ *226 1 + *216
*116
![]() | ![]() | ||
1 + Ац.’
Из данных формул необходимо выразить А-параметры гранзистора для схемы с ОБ.
4. Определите физические параметры транзистора Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода г '.
*12э
*22э
Объемное сопротивление базы г6:
*12э(1 + *21э)
*22э
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
|
Результаты измерений
|
|
8. Определите минимальный ток, при котором светодиод зажигается.
Внимание! Светодиод считается зажженным, если его стрелки на схеме окрасятся в черный цвет.
9. По данным таблицы 13 постройте ВАХ светодиода.
10. Сделайте вывод о работе светодиода по построенной характеристике.
Содержание отчета
1. Номер, тема и цель занятия.
2. Таблицы с результатами измерений.
3. Вывод о проделанной работе
Контрольные вопросы
1. Дайте определение фотоэлектрическому прибору.
2. Приведите определение внешнего фотоэффекта и укажите, где он применяется.
3. Поясните явление внутреннего фотоэффекта и укажите, где он применяется.
4. Укажите, какое устройство называется фоторезистором.