4. Принцип действия биполярного транзистора.

Дата: 2025-06-02; Просмотры: 16
Оценка:
0.00 из 5.00 — оценок
Скачиваний: 0

5. Токи в биполярном транзисторе.

6. Параметры квазистатического нагрузочного режима.

7. Физические параметры транзисторов.

8. Режимы работы биполярных транзисторов.

9. Импульсный режим работы биполярного транзистора.


 

I =о — коэффициент обратной связи, показывающий, ка­

кая часть напряжения передается с выхода транзистора на его вход при разомкнутой входной цепи.

Для осуществления XX по переменному току во входную цепь тран­зистора включают большую индуктивность.

U

     
 


;|=0 — выходная проводимость транзистора при разомк-

/=/([/ )

Отмечают на характеристиках заданную рабочую точку А (/б/);СкА) (рис. 3.17, 3.18).

Пусть 1бА = 0,4 мА, UK3 = 5 В.

Отметив точку А на семействе входных характеристик, построим треугольник А ВС. Определим

                 
 
Рис. 3.17. Определение h j j и h, 2 по входным характеристикам транзистора, включенного по схеме с ОЭ
Рис. 3.18. Определение /г21 и /г22 по входным характеристикам транзистора, включенного по схеме с ОЭ
0,25-0,125 (0,4-0,1)10_3
Д U- к. = ^ 11 Ак
 

 

0125 125

—I------- = — = 416,660м = 4170м,

0,3-10“3 0,3

/г И — входное сопротивление;

 

 

ния по току.

Для определения /г22 через точку /4 проводим прямую, параллель­ную оси напряжений, и опускаем перпендикуляры на основную харак­теристику при /б = 0,4 мА.


Обозначаем точки/и g:

/г22— выходная проводимость.

Статические характеристики зависят от температуры, поэтому зна­чения /г-параметров также температурозависимы.

Приведем приблизительные значения /г-параметров для схем вклю­чения транзистора с ОЭ и ОБ (табл. 3.1).

Таблица 3.1

Примерные значения /(-параметров транзистора при включении по схеме с ОЭ и ОБ

Параметр Схема с ОЭ Схема с ОБ
h\\ сотни Ом— единицы кОм единицы—десятки Ом
h\2 10_3—10-4 10~— 10Г4
/>21 10—100 0,95—0,99
hn 10—100 мкСм 1—10 мкСм


 

 

С увеличением частоты входного сигнала усилительные свойства транзисторов падают. Происходит уменьшение усиления по двум ос­новным причинам:

• инерционность диффузионного движения через базу инжектиро­ванных в нее носителей заряда;

• влияние емкости коллекторного перехода.

На высоких частотах время пролета носителей через базу становится сра­внимым с периодом входного сигнала. В итоге коллекторный ток отстает по фазе оттокаэмитгераиуменьшаетсяпо величине. Возникший фазовый сдвиг растет с увеличением частоты, и ток базы увеличивается (рис. 3.19).

         
А/ __ к
В схеме с ОЭ коэффициент передачи тока так как Д/КФ, а Д/бТ.
   
уменьшается,

 

4. Входные статические характеристики транзистора, сня­тые при двух значениях С/кб, и построенные на одной кооор- динатной плоскости.

5. Выходные статические характеристики транзистора, снятые при трех значениях /э, и построенные на одной кооор- динатной плоскости.

6. Выводы о проделанной работе.

Контрольные вопросы

1. Объясните процесс снятия статических характеристик.

2. Приведите схемы включения биполярных транзисторов. Дайте характеристику каждой схемы включения.