1. Ознакомиться с принципом действия биполярного транзистора.

Пояснительная записка

Дисциплина «Электронная техника» входит в цикл общепрофессио­нальных дисциплин, изучаемых студентами всех технических специаль­ностей, служит базой для профилирующих специальных дисциплин.

Для закрепления теоретического материала и приобретения прак­тических навыков работы с электронными приборами и устройствами программой предусмотрены лабораторные занятия, на которых осуществляются сборка схем, выбор режимов испытаний, снятие и анализ характеристик, определение качественных и эксплуатацион­ных показателей электронных приборов и усилителей.

Предлагаемые лабораторные занятия составлены в соответствии с программой по дисциплине «Электронная техника» для специаль­ности 2009 Эксплуатация средств связи.

Лабораторные занятия выполняются с помощью доступной и легко осваиваемой программы Electronics Workbench версий 5.0, 5.12.

Особенностью данной программы является наличие в ней контрольно- измерительных приборов, по внешнему виду, органам управления и ха­рактеристикам максимально приближенных к реальным, что способствует одновременно и приобретению практических навыков работы с наиболее распросгранешгыми приборами, а также моделирования электронных схем.

Применение моделирующих программ позволяет решить такие проблемы, как экономия материальных и финансовых средств, зат­рачиваемых на лабораторное оборудование и его обслуживание; сокращение времени на подготовку и проведение лабораторных за­нятий; проведение экспериментов, не доступных на обычном лабо­раторном оборудовании; приобретение навыков и приемов автома­тизированного проектирования; возможность включения отдельных схем по учебной программе в перечень домашних заданий (с учетом возрастающей с каждым днем доступности персонального компью­тера) и т. п.

Благодаря легкости освоения программа Electronics Workbench будет полезна не только студентам, но и преподавателям-специали- стам по схемотехнике при изучении и моделировании различных электронных устройств.

При разработке данных методических указаний лабораторное занятие «Исследование широкополосного усилителя» было заменено на «Иссле-

г

Тема: исследование работы биполярного
транзистора, включенного с общей базой.

Цели занятия.

1. Ознакомиться с принципом действия биполярного транзистора.

2. Опытным путем снять и проанализировать входные и выходные вольт- амперные характеристики биполярного транзистора, включенного с общей базой.

3. Научиться определять по характеристикам основные параметры би­полярного транзистора.

4. Получить практические навыки компьютерного моделирования элек­тронных схем.

Оборудование: персональный компьютер.

Программное обеспечение: Electronics Workbench 5.0.

Порядок выполнения

1. Ознакомиться с правилами техники безопасности при выполне­нии лабораторных занятий и схемами для проведения исследований.

2. Воспроизведение схемы, подключение к ней приборов осуще­ствляются по правилам, изложенным в [10].

Схема для исследования входных характеристик биполярного транзистора, включенного с общей базой, приведена на рис. 8.

 

Рис. 8 Схема для исследования выходных характеристик биполярного транзистора, включенного с общей базой, приведена на рис. 9.

 

                                 
2N4123 ~КГ
[=1У1 и.
с ah
ш-
 

 

Рис. 10

6. Снять семейство входных статических характеристик транзис­тора с общей базой / (/) = f((Ueb)(UJ) | Ukh{UJ = const.

Для снятия входной характеристики транзистора необходимо установить в схеме напряжение UкЬ (С..) = 0 В и повышать напряже­ние Ueb (СС) от 0 до 1200 мВ (через каждые 100 мВ), отмечая значе­ния тока / (/) транзистора. Для этого необходимо выполнить сле­дующие действия:

Паспортные данные германиевого транзистора 2N4123

Обозначения в программе Перевод на русский язык Э кс п луатаци о н н ые параметры
Saturation current, Обратный ток коллекторного

6,734-10“15А

IS, А перехода, /кбо, А
Forward current gain Коэффициент усиления

335,3

coefficient, (3F по току в схеме с ОЭ, Н2t3
Base ohmic resistance, Объемное сопротивление

10 Ом

RB, Ом базы, гб, Ом
Collector ohmic Дифференциальное  
resistance, RC, Ом сопротивление коллекторного перехода, гк а|1(Ь, Ом 1 Ом
Zero-bias B-E junction Емкость эмиттерного

4,439-10“12 Ф

capacitance, CE, F перехода, С„ Ф
Zero-bias B-C junction capacitance, CC, F Емкость коллекторного перехода, Ск, Ф 3,638-Ю-12 Ф


 


 

а) на схеме (рис. 10) навести курсор на источник постоянного на­пряжения (батарею) Ukb;

б) дважды щелкнуть левой кнопкой мыши;

в) в появившемся диалоговом окне Battery Properties (свойства батареи) в меню Value (параметр) установить значение 0 В и нажать кнопку ОК диалогового окна;

г) на схеме (рис. 10) навести курсор на источник постоянного напря­жения U (батарею). В появившемся диалоговом окне Battery Properties (свойства батареи) в меню Value (параметр) установить значение 100 мВ и нажать кнопку ОК диалогового окна. Значение / (/) для данного напря­жения занести в табл. 6;

д) аналогично выполнить измерения для других значений напряжения;

е) далее изменить значение Ukb (UkQ) = 30 В и проделать измере­ния согласно п. 6.

7. Результаты занести в табл. 6.

8.
По данным таблицы построить графики семейства входных ста­тических характеристик исследуемого транзистора в масштабе, удоб­ном для определения параметров транзистора.

9. Собрать схему, показанную на рис. 11.

включить схему.

11. Снять семейство выходных статических характеристик тран­зистора с общей базой Iк = /(Uk6) \ 1= const.

Для снятия выходной характеристики транзистора необходимо ус­тановить в схеме ток / (/) = 50 мкА и повышать напряжение Ukeю) от 0 до 60 В (через каждые 5 В), отмечая значения тока /, (/.) тран­зистора. Для этого необходимо выполнить следующие действия: а) на схеме (рис. 11) навести курсор на источник постоянного тока /;

 


Рис, 1 1

б) дважды щелкнуть левой кнопкой мыши;

в) в появившемся диалоговом окне DC Current Properties (свой­ства источника постоянного тока) в меню Value (параметр) устано­вить значение 50 мкА и нажать кнопку (Ж диалогового окна;

г) на схеме (рис.11) навести курсор па источник постоянного на­пряжения Ukb (батарею). В появившемся диалоговом окне Battery Properties (свойства батареи) в меню Value (параметр) установить значение 5 В и нажать кнопку ОК диалогового окна. Значение /,. для данного напряжения занести в табл. 7;

д) аналогично выполнить измерения для других значений напряжения;

е) далее изменить значение I (I) = 100 мкА, а затем 150 мкА и проделать измерения согласно п. 11.

12. Результаты занести в табл. 7.

13. По данным таблицы построить графики семейства выходных статических характеристик исследуемого транзистора в масштабе, удобном для определения параметров транзистора.

Примеры построения графиков входных и выходных характери­стик приведены на рис. 12 (а, о).

14. Пользуясь полученными характеристиками, определить //-па­раметры транзистора:

 

 

 

 

     
 


- коэффициент обратной связи по напряжению //

- коэффициент передачи тока Л

А/

h = —*■

216 д/

выходная проводимость транзистора /?22б

А/

h = —is-

226 At/ , кб

Таблица 7

№ опыта

t/кб, В

/к, мкВ

при /э= 50 мкА при /э= 100 мкА при /,= 150мкА
1 0      
2 5      
3 10      
4 15      
5 20      
6 25      
7 30      
8 35      
9 40      
10 45      
11 50      
12 55      
13 60      


 


 



 

 

Внимание! При определении параметров следует выполнить необходимые построения на графиках входных и выходных характеристик транзистора, снятых в процессе проведения лабораторных исследований. Примеры постро­ений приведены на рис. 12.

15. Провести исследование графиков (входных и выходных вольт- амперных характеристик транзистора), показывающих взаимосвязь меж­ду током и напряжением, и на основе исследований сделать вывод о влиянии напряжения на базе транзистора (бб) на ток эмиттера (/ ) и влиянии напряжения на коллекторе на ток коллектора (/.).

Например.

Вывод: в результате исследований графиков семейства входных ха­рактеристик видно, что при увеличении напряжения на базе бб ток эмиттера .... так как ... (описать причину, вызвавшую это измене­ние).

Контрольные вопросы

1. Классификация биполярных транзисторов и их маркировка.

2. Область применения биполярных транзисторов.

3. Различия транзисторов структуры р-п-р и п-р-п.