1. Ознакомиться с принципом действия биполярного транзистора.
Пояснительная записка
Дисциплина «Электронная техника» входит в цикл общепрофессиональных дисциплин, изучаемых студентами всех технических специальностей, служит базой для профилирующих специальных дисциплин.
Для закрепления теоретического материала и приобретения практических навыков работы с электронными приборами и устройствами программой предусмотрены лабораторные занятия, на которых осуществляются сборка схем, выбор режимов испытаний, снятие и анализ характеристик, определение качественных и эксплуатационных показателей электронных приборов и усилителей.
Предлагаемые лабораторные занятия составлены в соответствии с программой по дисциплине «Электронная техника» для специальности 2009 Эксплуатация средств связи.
Лабораторные занятия выполняются с помощью доступной и легко осваиваемой программы Electronics Workbench версий 5.0, 5.12.
Особенностью данной программы является наличие в ней контрольно- измерительных приборов, по внешнему виду, органам управления и характеристикам максимально приближенных к реальным, что способствует одновременно и приобретению практических навыков работы с наиболее распросгранешгыми приборами, а также моделирования электронных схем.
Применение моделирующих программ позволяет решить такие проблемы, как экономия материальных и финансовых средств, затрачиваемых на лабораторное оборудование и его обслуживание; сокращение времени на подготовку и проведение лабораторных занятий; проведение экспериментов, не доступных на обычном лабораторном оборудовании; приобретение навыков и приемов автоматизированного проектирования; возможность включения отдельных схем по учебной программе в перечень домашних заданий (с учетом возрастающей с каждым днем доступности персонального компьютера) и т. п.
Благодаря легкости освоения программа Electronics Workbench будет полезна не только студентам, но и преподавателям-специали- стам по схемотехнике при изучении и моделировании различных электронных устройств.
При разработке данных методических указаний лабораторное занятие «Исследование широкополосного усилителя» было заменено на «Иссле-
г
Тема: исследование работы биполярного
транзистора, включенного с общей базой.
Цели занятия.
1. Ознакомиться с принципом действия биполярного транзистора.
2. Опытным путем снять и проанализировать входные и выходные вольт- амперные характеристики биполярного транзистора, включенного с общей базой.
3. Научиться определять по характеристикам основные параметры биполярного транзистора.
4. Получить практические навыки компьютерного моделирования электронных схем.
Оборудование: персональный компьютер.
Программное обеспечение: Electronics Workbench 5.0.
Порядок выполнения
1. Ознакомиться с правилами техники безопасности при выполнении лабораторных занятий и схемами для проведения исследований.
2. Воспроизведение схемы, подключение к ней приборов осуществляются по правилам, изложенным в [10].
Схема для исследования входных характеристик биполярного транзистора, включенного с общей базой, приведена на рис. 8.
|
| |||||||||||||||||
![]() | |||||||||||||||||
![]() | |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
![]() | |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
| |||||||||||||||||
![]() | |||||||||||||||||
![]() |
Рис. 10
6. Снять семейство входных статических характеристик транзистора с общей базой / (/) = f((Ueb)(UJ) | Ukh{UJ = const.
Для снятия входной характеристики транзистора необходимо установить в схеме напряжение UкЬ (С..) = 0 В и повышать напряжение Ueb (СС) от 0 до 1200 мВ (через каждые 100 мВ), отмечая значения тока / (/) транзистора. Для этого необходимо выполнить следующие действия:
Паспортные данные германиевого транзистора 2N4123
|
|
а) на схеме (рис. 10) навести курсор на источник постоянного напряжения (батарею) Ukb;
б) дважды щелкнуть левой кнопкой мыши;
в) в появившемся диалоговом окне Battery Properties (свойства батареи) в меню Value (параметр) установить значение 0 В и нажать кнопку ОК диалогового окна;
г) на схеме (рис. 10) навести курсор на источник постоянного напряжения U (батарею). В появившемся диалоговом окне Battery Properties (свойства батареи) в меню Value (параметр) установить значение 100 мВ и нажать кнопку ОК диалогового окна. Значение / (/) для данного напряжения занести в табл. 6;
д) аналогично выполнить измерения для других значений напряжения;
е) далее изменить значение Ukb (UkQ) = 30 В и проделать измерения согласно п. 6.
7. Результаты занести в табл. 6.
8.
По данным таблицы построить графики семейства входных статических характеристик исследуемого транзистора в масштабе, удобном для определения параметров транзистора.
9. Собрать схему, показанную на рис. 11.
включить схему.
11. Снять семейство выходных статических характеристик транзистора с общей базой Iк = /(Uk6) \ 1= const.
Для снятия выходной характеристики транзистора необходимо установить в схеме ток / (/) = 50 мкА и повышать напряжение Uke (Сю) от 0 до 60 В (через каждые 5 В), отмечая значения тока /, (/.) транзистора. Для этого необходимо выполнить следующие действия: а) на схеме (рис. 11) навести курсор на источник постоянного тока /;
![]() |
Рис, 1 1
б) дважды щелкнуть левой кнопкой мыши;
в) в появившемся диалоговом окне DC Current Properties (свойства источника постоянного тока) в меню Value (параметр) установить значение 50 мкА и нажать кнопку (Ж диалогового окна;
г) на схеме (рис.11) навести курсор па источник постоянного напряжения Ukb (батарею). В появившемся диалоговом окне Battery Properties (свойства батареи) в меню Value (параметр) установить значение 5 В и нажать кнопку ОК диалогового окна. Значение /,. для данного напряжения занести в табл. 7;
д) аналогично выполнить измерения для других значений напряжения;
е) далее изменить значение I (I) = 100 мкА, а затем 150 мкА и проделать измерения согласно п. 11.
12. Результаты занести в табл. 7.
13. По данным таблицы построить графики семейства выходных статических характеристик исследуемого транзистора в масштабе, удобном для определения параметров транзистора.
Примеры построения графиков входных и выходных характеристик приведены на рис. 12 (а, о).
14. Пользуясь полученными характеристиками, определить //-параметры транзистора:
![]() |
![]() | ![]() | ||
- коэффициент обратной связи по напряжению //
- коэффициент передачи тока Л
А/
h = —*■
216 д/
выходная проводимость транзистора /?22б
А/
h = —is-
226 At/ , кб
Таблица 7
|
|
|
|
Внимание! При определении параметров следует выполнить необходимые построения на графиках входных и выходных характеристик транзистора, снятых в процессе проведения лабораторных исследований. Примеры построений приведены на рис. 12.
15. Провести исследование графиков (входных и выходных вольт- амперных характеристик транзистора), показывающих взаимосвязь между током и напряжением, и на основе исследований сделать вывод о влиянии напряжения на базе транзистора (бб) на ток эмиттера (/ ) и влиянии напряжения на коллекторе на ток коллектора (/.).
Например.
Вывод: в результате исследований графиков семейства входных характеристик видно, что при увеличении напряжения на базе бб ток эмиттера .... так как ... (описать причину, вызвавшую это изменение).
Контрольные вопросы
1. Классификация биполярных транзисторов и их маркировка.
2. Область применения биполярных транзисторов.
3. Различия транзисторов структуры р-п-р и п-р-п.