3. Построить зависимость частоты от длины диода по (3.2).

Дата: 2025-05-25; Просмотры: 4
Оценка:
0.00 из 5.00 — оценок
Скачиваний: 0

3.5. Основное задание

1. Ознакомиться с аппаратурой и элементами измерительной установки.

2. Снять статическую вольтамперную характеристику ЛПД.

3. Исследовать зависимость мощности генерации и частоты от режима питания диода и при нескольких положениях настроечного плунжера, выбранных самостоятельно.

4. Исследовать зависимость мощности и частоты генерации от положения настроечного плунжера при нескольких постоянных токах через диод .

5. Исследовать зависимость частоты генерации и мощности от изменения уровня отражений от нагрузки.

6. Исследовать изменение статической характеристики при срыве генерации СВЧ-колебаний.

3.6. Содержание отчета

1. Цель работы, назначение ЛПД.

2. Схема включения диода в цепь СВЧ и в измерительную цепь.

3. График расчетной зависимости частоты от длины диода (2.2).

4. Вольтамперная характеристика ЛПД (при наличии генерации СВЧ и при ее срыве).

5. Зависимости и при нескольких положениях настроечного плунжера.

6. Зависимость и при нескольких выбранных значений токах через диод.

7. Зависимость смещения частоты генерации и изменения мощности от коэффициента стоячей волны.

8. Расчет длин активной части диода по экспериментальным данным.

9. Расчет предельного коэффициента полезного действия.

10. Выводы по работе.

3.7. Контрольные вопросы

1. Физический принцип действия ЛПД.

2. Почему мощность генерируемых колебаний зависит от величины постоянного тока в цепи диода?

3. Почему мощность и частота генерируемых колебаний зависят от положения плунжера?

4. Почему мощность и частота генерируемых колебаний зависят от внешней нагрузки?

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕНЕРАТОРА И УСИЛИТЕЛЯ

НА ДИОДЕ ГАННА

Цель данной работы заключается в исследовании диода Ганна, являющегося активным элементом в схемах генератора и усилителя СВЧ.

4.1. Основные теоретические положения

Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия и фосфиде индия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p- n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэтому такие приборы называют диодами Ганна). В отечественной литературе их называют также приборами с объемной неустойчивостью или междолинным переносом электронов, поскольку активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из «центральной» энергетической долины в «боковую», где они характеризуются большей по сравнению с «центральной» долиной эффективной массой и меньшой подвижностью. В иностранной литературе последнему названию диода соответствует термин ТЭД (Transferred Electron Device).

Зависимость средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для GaAs показана на рис. 4.1. В слабом поле подвижность электронов велика и составляет 6000…8500 . При напряженности поля средняя дрейфовая скорость электронов уменьшается с ростом поля за счет перехода части электронов в «боковую» долину, в которой эффективная масса электрона значительно возрастает. Наибольшее значение модуля отрицательной дифференциальной подвижности (ОДП) на падающем участке примерно втрое ниже подвижности электрона в слабых электрических полях. При напряженности поля выше 15…20 кВ/см средняя скорость электронов почти не зависит от поля и составляет около 107 см/с.

Существование падающего участка характеристики в области ОДП при однородном распределении электрического поля вдоль однородно легированного образца GaAs приводит к появлению падающего участка на ВАХ диода. На этом участке диод мог бы использоваться для генерирования и усиления СВЧ-колебаний из-за наличия отрицательной дифференциальной проводимости . Однако на практике осуществление такого режима в образце полупроводникового материала с отрицательной дифференциальной проводимостью затруднено из-за неустойчивости поля и объемного заряда. Время установления ОДП складывается из времени междолинного перехода ( ) и времени разогрева электронного газа в «центральной» долине ( для GaAs), определяемое временем релаксации по энергии.

При напряжении в однородном образце длиной локальное повышение концентрации электронов приводит к появлению отрицательного заряженного слоя, перемещающегося вдоль образца от катода к аноду (от отрицательного электрода к положительному). Возникающие при этом внутренние электрические поля накладываются на постоянное поле, увеличивая напряженность поля справа от слоя и уменьшая ее слева (рис. 4.2). Скорость электронов справа от слоя уменьшается, а слева возрастает. Это приводит к дальнейшему нарастанию движущегося слоя накопления и к соответствующему перераспределению поля в образце. Обычно слой объемного заряда зарождается у катода, так как вблизи катодного омического контакта имеется область с повышенной концентрацией электронов и малой напряженностью электрического поля. Флюктуации, возникающие вблизи анодного контакта, вследствие движения электронов к аноду не успевают развиться.

Однако такое распределение электрического поля неустойчиво и при наличии в образце неоднородности в виде скачков концентрации, подвижности или температуры может преобразоваться в локальное образование, называемое доменом сильного поля. Повышение электрического поля в части образца будет сопровождаться появлением на границах этого участка объемного заряда, отрицательного со стороны катода и положительного со стороны анода. При этом скорость электронов внутри участка падает. Электроны со стороны катода будут догонять электроны внутри этого участка, за счет чего увеличится отрицательный заряд и образуется обогащенный электронами слой. Электроны со стороны анода будут уходить вперед, за счет чего увеличится положительный заряд и образуется обедненный слой. Это приведет к дальнейшему увеличению поля и области флюктуации по мере движения заряда к аноду и к возрастанию протяженности дипольной области объемного заряда. Если напряжение, приложенное к диоду, поддерживается постоянным, то с ростом дипольного домена поле вне домена будет уменьшаться. Нарастание поля в домене прекратится, когда скорость домена сравняется со скоростью электронов вне домена.


Напряженность электрического поля вне домена будет ниже пороговой напряженности , из-за чего станет невозможным междолинный переход электронов вне домена и образование другого домена вплоть до исчезновения сформировавшегося ранее на аноде. Ток во время движения стабильного домена от катода к аноду останется постоянным (рис. 4.3).

После того как домен исчезнет на аноде, напряженность поля в образце снова повысится, и при достижении полем значения начнется образование нового домена. Такой режим работы диода Ганна называют пролетным режимом. Поле вне домена и скорость домена мало изменяются при изменении напряжения на диоде. Избыточное напряжение падает в основном в домене. Уже при напряжении смещения скорость домена лишь немного отличается от скорости насыщения, поэтому пролетная частота как характеристика диода обычно определяется выражением

В пролетном режиме ток через диод представляет собой импульсы, следующие с периодом и, следовательно, диод генерирует СВЧ-колебания с пролетной частотой , определяемой в основном длиной образца и слабо зависящей от нагрузки.

Для доменных режимов работы диода Ганна характерно наличие в образце сформировавшегося дипольного домена в течение значительной части периода колебаний. Следует иметь в виду, что домен возникает при постоянном напряжении больше порогового, и возможно существование домена, когда в процессе движения домена к аноду напряжение на диоде уменьшается. Однако существует напряжение на диоде, называемое напряжением гашения, при котором возникший домен рассасывается.

В зависимости от соотношения времени пролета и периода СВЧ-колебаний, а также от значений постоянного напряжения и амплитуды высокочастотного напряжения могут быть реализованы следующие доменные режимы: пролетный, режим с задержкой домена, режим с подавлением (гашением) домена. Значение КПД, зависящее от соотношений , , и полных сопротивлений диода и нагрузки, при оптимальном значении не превышает для GaAs диодов 6 % в режиме с задержкой домена. Электронный КПД в режиме с гашением домена меньше, чем в режиме с задержкой домена. КПД генераторов на диоде Ганна, работающих в пролетном режиме, невелик, и этот режим обычно не имеет практического применения.

Время формирования домена определяется в значительной степени процессом перераспределения объемного заряда. Оно зависит от начальной неоднородности поля, уровня легирования и приложенного напряжения. Приближенно считают, что домен успеет полностью сформироваться за время , где выражено в см-3. Говорить о доменных режимах имеет смысл только в том случае, если домен успеет сформироваться за время пролета электронов в образце . Отсюда условием существования дипольного домена является , или

Определенное значение произведения концентрации электронов на длину образца , называемое критическим или критерием Кремера, и является границей доменных режимов диода Ганна и режимов с устойчивым распределением электрического поля в однородно легированном образце. Приведенное численное значение критерия Кремера соответствует арсениду галлия. При домен сильного поля не образуется, и образец называют стабильным. При возможны различные доменные режимы. С ростом среднего уровня концентрации легирующей примеси все большую роль начинает играть диффузия электронов, которая игнорировалась при получении критерия Кремера. Естественно, являясь стохастическим, т. е. случайным процессом, диффузия оказывает противодействие самовозрастанию зарядовой неоднородности, обусловленному эффектом ОДП. Поэтому даже в суперкритически легированных ДГ возможно стабильное распределение электрического поля. На рис. 4.4 представлены характерные распределения напряженности электрического поля в ДГ с омическими контактами при различных уровнях и профилях легирования. При работе диода Ганна в качестве генератора или усилителя СВЧ технологические параметры диода (профиль легирования, длина и площадь сечения) и параметры цепи (напряжение питания и свойства нагрузки) определяют различные режимы работы: доменный, ограничение накопления объемного заряда (ОНОЗ, в иностранной литературе LSA), гибридный, режим бегущих волн объемного заряда, режим отрицательной проводимости.

Неоднородность электрического поля сказывается как на динамических, так и на статических параметрах ДГ. Проявление неоднородности электрического поля на статической вольтамперной характеристике устойчивого ДГ заключается в том, что на ней отсутствует падающий участок (кривые 1 и 2 на рис. 4.5). Появление падающего участка на вольтамперной характеристике устойчивого диода связано с разогревом кри сталлической решетки под действием протекающего тока. При этом повышается температура, и как следствие возрастает интенсивность рассеяния электронов на колебаниях решетки (фононах), что приводит к падению подвижности, т. е. к уменьшению значения скорости электронов при данном значении напряженности электрического поля (кривая 3 на рис. 4.5). Для ВАХ неустойчивого ДГ (кривая 4) характерен скачок в области порогового напряжения .

Кстати, критерий Кремера справедлив только для структур, у которых длина активного слоя между катодом и анодом много меньше поперечных размеров, что характерно для планарных структур и мезаструктур. У тонко-пленочных структур (поперечный размер может быть сравним с его длиной) образующиеся при формировании домена объемные заряды создают внутренние электрические поля, имеющие помимо продольной еще и поперечную компоненту. Это приводит к уменьшению поля по сравнению с одномерной задачей. При малой толщине активной пленки в выражении для критерия отсутствия доменной неустойчивости длина заменяется на толщину.

Для расчета генераторов и усилителей на диодах Ганна обычно используются понятие импеданса или связанного с ним адмитанса . Здесь – циклическая частота сигнала; – вещественные части сопротивления и проводимости; – реактивные части сопротивления и проводимости.

Необходимое и достаточное условие генерации или усиления имеет вид

В режиме стабильного усиления волн пространственного заряда активное сопротивление (проводимость) диода становится отрицательным в интервале частот, и появляется возможность использования диода в схеме усилителя.

Очевидно, что достаточно сильная положительная обратная связь должна приводить к неустойчивости колебаний в цепи, таким образом, к появлению генерации. Разделив вещественные и мнимые части (4.3), перепишем условие возникновения генерации или усиления:

где – импеданс внешней цепи включения диода.

Выражение (4.4) отражает тот факт, что при установившихся автоколебаниях (генерация) все активные потери скомпенсированы усилением. Другими словами, за период колебаний энергия, теряемая ввиду затухания, в точности равна энергии, подводимой от внешнего источника. Это условие называют балансом амплитуд. Для возникновения генерации необходимо не просто восполнение потерь энергии, т. е. сложение квадратов амплитуд, а когерентное сложение самих амплитуд. Последнее требование приводит к второму условию, которое называется балансом фаз (4.5). Условие (4.3) позволяет сделать вывод о том, что изменением параметров внешней цепи (при неизменных эквивалентных параметрах диода) можно получить генерацию при обеспечения внешней положительной обратной связи.

Однако существует и другой способ возбуждения, не связанный со схемой включения, а обусловленный исключительно внутренней связью. В этом случае диод должен быть подключен к генератору напряжения ( ). Тогда условие (4.3) дает критерий устойчивости диода в режиме заданного напряжения. Этот критерий разделяет два режима работы: режим стабильного усиления ВПЗ, в котором диод может использоваться в качестве либо усилителя, либо генератора (в зависимости от схемы), и режим, при котором на катоде периодически возникают домены (области сильного поля), пролетающие через всю активную область до анода. Этот режим называют пролетным (ганновским) режимом, так как период осцилляций тока во внешней цепи, связанных с движением домена, равен времени пролета последнего от катода до анода. Поэтому критерий, вытекающий из условия (4.3) и разделяющий эти два режима, также является критерием Кремера. Таким образом, в случае выполнения условия (4.2) диод устойчив, т. е. в отсутствие внешнего сигнала в нем не возникает возбуждения волн. Такой диод называют субкритически легированным и используют для усиления. Если условие (4.2) не выполняется, реализуется чисто «генераторный» режим – режим бегущих доменов, представляющих собой периодически возникающие одиночные нелинейные волны (солитоны). Подобный диод называют суперкритически легированным и используют исключительно для генерации СВЧ-колебаний.

Благодаря описанным свойствам ДГ находят применение в качестве активных элементов в генераторах и усилителях СВЧ-диапазона. Основными параметрами генератора являются: мощность генерации ; частота генерации ; полоса перестройки частоты электрическим и механическим способами; коэффициент полезного действия (КПД) , где – мощность по постоянному току). Частотный диапазон, перекрываемый генераторами Ганна, очень широк и составляет 100…150 ГГц. Диоды Ганна включают в линии передачи и в резонаторы, перестраиваемые по частоте. Коаксиально-волноводная секция с диодом Ганна, включаемая в волноводный тракт, показана на рис. 4.6. Короткозамыкающие поршни необходимы для перестройки генератора по частоте и согласования диода с нагруз кой.

Генераторы на диодах Ганна перестраиваются по частоте изменением либо параметров резонаторов, либо напряжения питания. Механическую перестройку можно проводить в широких пределах при условии плавного перехода из одного режима работы в другой. Кроме того, возможна перестройка с помощью варикапов и ферритов. Электронная перестройка частоты изменением напряжения питания в резонансных режимах работы мала и составляет 5…20 МГц/В. Эта перестройка связана с изменением емкости домена. Частота генераторов на диодах Ганна определяется в основном резонансной частотой колебательной системы с учетом емкостной проводимости диода и может перестраиваться в широких пределах механическими и электрическими методами.

Выходная мощность диодов Ганна ограничена электрическими и тепловыми процессами. Как и для ЛПД, в сантиметровом диапазоне длин волн максимальное значение выходной мощности диодов Ганна определяется тепловыми эффектами. В миллиметровом диапазоне толщина активной области диодов, работающих в доменных режимах, становится малой, и начинают преобладать ограничения электрического характера.

Мощность в непрерывном режиме достигает 0,62 Вт на частоте 12,8 ГГц при КПД – (3,5…4) %. В импульсном режиме на частоте 7,0 ГГц получена мощность 2,1 кВт при КПД 4 %, а на частоте 100 ГГц – около 100 мВт при КПД 5 %. КПД генераторов зависит от режима работы и составляет от единиц до 20 %. В отдельных генераторах КПД достигает 30 %.

Генераторы на диодах Ганна характеризуются значительно меньшими частотными шумами, чем генераторы на ЛПД. В настоящее время генераторы на диодах Ганна находят применение в качестве гетеродинов и генераторов в маломощных передатчиках в сантиметровом и миллиметровом СВЧ-диапазонах.

Большой интерес представляют разработки усилителей на диодах Ганна, особенно для миллиметрового диапазона длин волн, где применение СВЧ-транзисторов ограничено. Важной задачей при создании усилителей на дио дах Ганна является обеспечение устойчивости их работы. В усилителях с диодами Ганна часто реализуются схемы регенеративного усилителя отражательного типа с разделением входного и выходного сигналов. Схема усилителя СВЧ-колебаний отражательного типа на ДГ с циркулятором показана на рис. 4.7. Циркулятор служит для развязки входного и выходного сверхвысокочастотного сигнала усилителя мощности.

Основные параметры, характеризующие усилитель на ДГ: полоса усиливаемых частот , мощность насыщения , КПД и максимальный коэффициент усиления по мощности :

где и — активные проводимости диода и нагрузки. Очевидно, что при , коэффициент усиления . Коэффициент полезного действия усилителя в пределе стремится к КПД генератора.

Наиболее чувствительным (и легко регистрируемым) к изменению профиля распределения электрического поля параметром является частота, соответствующая максимальному усилению в режиме малого сигнала, поскольку она определяется обратным временем пролета промежутка, в котором отрицательная дифференциальная подвижность , т. е. .

Усилители на субкритически легированных ДГ находят ограниченное применение из-за малого динамического диапазона и коэффициента усиления. Устойчивая отрицательная проводимость в широком диапазоне частот, достигающем 40%, реализуется в диодах с (2…3) см-12 при малой длине диода (8…15 мкм) и отношениях напряжений (3…4). При меньших напряжениях наблюдается генерация, срыв которой при увеличении напряжения может быть объяснен уменьшением ОДП материала при повышении температуры прибора.

Однородное распределение электрического поля по длине диода и устойчивое усиление в широкой полосе частот могут быть получены за счет неоднородного легирования образца (рис. 4.4, кривая 2). Если вблизи катода имеется узкий слаболегированный слой длиной около 1 мкм, то он ограничивает инжекцию электронов из катода и приводит к резкому возрастанию электрического поля. Увеличение концентрации примеси по длине образца по направлению к аноду до позволяет добиться однородности электрического поля. Такие усилители характеризуются широким диапазоном, КПД, равным 2…3 %, и коэффициентом шума порядка 10 Дб.

4.2. Описание объекта исследований

Диод Ганна – двухэлектродная структура, представляющая собой объемный полупроводник (арсенид галлия или фосфид индия) 1 с нанесенными на него катодным 2 и анодным 3 контактами, теплоотводом 4 и защитным слоем 5 (рис. 4.8). В качестве объекта исследований используется планарный арсенидгаллиевый диод АА703, помещенный в корпус. Его основные характеристики: диапазон генерации 8…12 ГГц; длина активной области L = 10 мкм; номинальное напряжение питания 8,5 В; рабочий ток при номинальном напряжении питания 270 мА; выходная мощность генерации ври номинальном напряжении питания 1 мВт; сопротивление диода по постоянному току составляет 3…20 Ом при напряжениях питания UД = 0,5…8,5 В; максимально допустимая рабочая температура диода +75 °С.

 

4.3. Описание экспериментальной установки

Диод размещен в резонаторной камере, представляющей собой отрезок волновода 23´10 мм с короткозамкнутым подвижным плунжером, с помощью которого производится перестройка частоты объемного резонатора.


Установка (рис. 4.9) состоит из волноводного отрезка с ДГ 1, перестраиваемого подвижного волноводного плунжера 2, волноводного разветвителя 3, частотомера 4, измерителя мощности 5, волноводного переключателя 9, а также панорамного измерителя, состоящего из генератора качающейся частоты (ГКЧ) 6, индикатора 7 и двух направленных ответвителей 12. Напряжение смещения подается на ДГ с блока питания (БП) 8. Статические характеристики измеряются с помощью вольтметра и миллиамперметра. Данная измерительная установка позволяет исследовать ДГ в качестве активного элемента, как генератора, так и усилителя отражательного типа, используя переключатель 9. Измерение характеристик усилителя осуществляется с по-мощью панорамного измерителя, включенного по отражательной схеме. Ферритовый вентиль 11 исполняет роль нагрузки. Регулировка уровня мощности генератора и измерение усиления осуществляется аттенюатором 10.

4.4. Предварительное задание

1. Изучить теоретическую часть работы. При необходимости обратиться к рекомендованной литературе.

2. Провести предварительные расчеты. Определить значение порогового напряжения и частоты генерации в пролетном режиме , исходя из того, что в арсениде галлия при температуре 300 К значение пороговой напряженности электрического поля , а скорость насыщения . При этом считать, что поле в активной области распределено однородно, т. е. пролетная длина совпадает с длиной этой области .

3. Подготовить таблицы для снятия экспериментальных зависимостей.

4.5. Основное задание

1. Снять статическую вольтамперную характеристику ДГ.