Черноморское высшее военно-морское училище имени П. С. Нахимова

Дата: 2025-06-02; Просмотры: 6

Оценка:

0.00 из 5.00 — оценок

Скачиваний: 0

Работа по дисциплине «Электроника»

студента 70 группы факультета РТС Копеева А.С.

проверил

Коваленко Е. П.

Севастополь 2017

Тема: Расчет усилителя низкой частоты на БПТ с общим эмиттером.

Цель: Закрепить теоретические знания по теме полупроводниковые приборы.

Усвоить методику расчета усилительных каскадов на БПТ.

Уяснить роль и функции элементов схемы и значения их параметров, обеспечивающих работу усилителя каскада.

Исходные данные: Расчетная схема усилительного каскада:

Параметры элементов схемы, параметры усилителя и входных воздействий.

R_H = 1+0, 5*9=5, 5 (кОм)

К_U = 5+9=14 -коэффициент усиления по U

S= 6+0, 1*9=6, 9 – коэффициент температурной нестабильности

U_вх.= 50-9=41 (мВ)

F_H = 60+9= 69 (Гц) – нижняя частота

µ_H ₌1, 2 – коэффициент частотного искажения

U_m_вых.= K_U+U_max

Расчет усилителя

U_H= K_U*U_вх = 14*41=574 (мВ) I_H=U_H/R_H=(574*10^-3)/(5, 5*10³) =104, 4*10^-6 (A)

Выбираем транзистор по справочнику. Используем следующие соотношения:

I_K₀+I_H<I_K_пред*I_Kmax; U_K₀+U_H<U_K_пред*U_Kmax

По справочнику Лавриненко выбираем: МП=39 – транзистор

Параметры:

I_Э₀=I_K₀=1(мА); U_K₀=5 (B)

Коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером

β=h_21э=15

I_K_пред=20 (мА)

U_K_пред=15 (В)

Выходная проводимость h₂₂_э=49, 5 (мкСи)

Допустимое напряжение

U_эб_max=5 (B)

r_б=220 (Ом) – сопротивление базы;

Определение входного сопротивления транзистора для сигнала:

h_11э=r_б+(1+ β)*r_э, где r_э= (25*10^-3)/(I_K₀)= (25*10^-3)/ (1*10^-3);

h_11э=220+(1+15)* (25*10^-3)/ (1*10^-3)=(16*25)+220=620 (Ом)

Определение начального напряжения на базе:

U_бэо=0, 3 β+h_11э*I_бо,где I_бо=(I_K₀)/(h_21э)=0, 067*10^-3(А)

U_бэо=0, 3+620*0, 067 *10^-3=0, 34 (В)

R_б=R₁// R₂ R₁₂= R_б=10*h_11э=6200 (ОМ

Определение сопротивления эмиттера:

R_э=(R_б)/(S-1)=6200/(6, 9-1)=1051 (Ом) По ГОСТ=1 (кОм)

Сопротивление эквивалентной нагрузки:

1/R_K=1/((1/R_K)+( 1/R_H))=(h_21э/(K_U*h_11э))-h_22э=15/(14*620)-50*10^-6=1, 68*10^-3 (Си)

R_K=1/(1, 68*10^-3)=595 (Ом) По ГОСТ= 1 (кОм)

Определение ЭДС источника:

E=U_K₀+ I_K₀*( R_K+ R_Э)=5+1*10^-3*(595+1051)=6, 7 (В)

Определение сопротивления резисторов делителя:

E_экв= E_базы= R₁₂* I_б₀+ U_бэо+ I_э* R_э=6200*0, 067*10^-3+0, 34+(1*10^-3*1051)=1, 8 (B)

R₁= R₁₂*(E/E_экв)=(6200*6, 3)/1, 8=23, 1 (кОм) По ГОСТ=24 (кОм)

R₂=( R₁₂* R₁)/ ( R₁₂- R₁)= =8, 47 (кОм) По ГОСТ=8, 2 (кОм)

С_э=3*(h_21э)/(2πF_Hh_11э)=(3*15)/(2*3, 14*69*620)=167 (мкФ) По ГОСТ=200 (мкФ)

R_вх=(R₁₂*h_11э)/( R₁₂+h_11э)=(6200*620)/ (6200+620)=563 (Ом)

_вх

C_p₁= = =3, 5 (мкФ) По ГОСТ=3 (мкФ)

C_p₂= = =0, 57 (мкФ) По ГОСТ=1 (мкФ)

I_дел=E_k/(R₁+R₂)=9/(23, 1+8, 2)=0, 29 (мА)

R_дел_R3= I_дел²*R₁=0, 29*10^-6*23, 1*10³=1, 9*10^-3 (Bт)

R₅

Обозначение	Позиционный номер	Наименование	Количество	Примечания
		Конденсаторы
С_ф	C₁	К 50 – 6 - 100µF	1
С_р1	C₂	К 50 – 6 - 3µF	1
С_э	C₃	К 50 – 6 – 100 – 200µF	1
С_р2	C₄	К 50 – 6 – 10 - 1µ0F	1
		Резисторы
R1	R1	МЛТ – 0, 05 – 24к±5%	1
R2	R2	МЛТ – 0, 05 – 8к2±5%	1
R_к	R3	МЛТ – 0, 05 – 1к±5%	1
R_э	R4	МЛТ – 0, 05 – 1к±5%	1
R_ф	R5	МЛТ – 0, 05 – 2к4±5%	1
R_н	R_н	МЛТ – 0, 05 – 5к5±5%	1
		Транзисторы
VT	VT-1	МП-39	1

Выводы:

· Выполнив расчетно-графическую работу, мы изучили схему и принциа усиления сигналов биполярным транзистором.

· В ходе выполнения работы, мы закрепили теоретические знания по теме полупроводниковые приборы.

· Также, мы усвоили методику расчета усилительных каскадов на БПТ.

· Выполняя расчетно-графическую работу, мы уяснили роль и функции элементов схемы, а также значения их параметров, которые обеспечивают работу усилителя каскада.