Санкт-Петербургский государственный

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

 

 

отчет

по лабораторной работе №2

по дисциплине «Физико-химические основы технологии изделий электроники и наноэлектроники»

Тема: Моделирование диаграмм состояния с ограниченной растворимостью компонентов (полупроводник - примесь)

 

Студенты гр. 6209   Тойкка А.С.
    Богданова М.В.
    Гребнев К.В.
Преподаватель   Мараева Е. В.

 

 

Санкт-Петербург

2018

Цель работы.

Изучение фазовых равновесий в бинарной системе Ge-Ag путём компьютерного моделирования; расчет параметров межатомного взаимодействия; выбор моделей растворов, адекватно описывающих экспериментальные Т-х-диаграммы состояния; расчет спинодалей и определение областей устойчивого и метастабильного состояний твердых растворов в заданной системе.

Исходные данные

Исходная T-x-проекция фазовой диаграммы состояния системы A-B (Ge-Ag) представлена на рисунке 1.

Рисунок 1 - Т-х-проекция диаграммы состояния системы Ge-Ag

 

 

Обработка экспериментальных результатов

1. Привести Т-х-проекции исследованной диаграммы состояния. Оптимальные параметры межатомного взаимодействия Wsopt и Wlopt в твердом и жидком растворах соответственно.

 

Рис. 2 . T-x-проекции экспериментальной и теоретически рассчитанной диаграмм состояния

Как видно из графика, T-x-проекция теоретически рассчитанной диаграммы почти совпадает с экспериментальной. Различия можно объяснить неточностью определения экспериментальных точек ликвидуса и солидуса.

 

 

2. Расчет и построение линии ликвидуса в рамках модели идеального жидкого раствора и сравнение с линиями ликвидуса в рамках регулярного и квазирегулярного раствора.

 

ΔHпл(Ge)/Tпл(Ge)=ΔSпл(Ge)

xSGe = 1

Для идеального раствора уравнение:

 

 

 

Аналогично для регулярного раствора:

 

 

Для модели квазирегулярного раствора:

 

 

Рис. 3. Сравнение линии ликвидуса в разных моделях раствора.

Для описания жидких растворов лучше всего подходит модель квазирегулярных растворов, а для твёрдых растворов – модель регулярного раствора.

 

 

3. Расчет и построение концентрационной зависимости коэффициентов активностей компонентов в твердом растворе при Т=(Тпл( Ge )+ Тэвт)/2, а также в жидком растворе при Т = Тпл( Ge ).

Рассмотрим твёрдый раствор при температуре Т:

Коэффициент активности для твёрдого раствора:

Таблица 1. Расчет для компонентов Ge и Cu для твердого раствора

Xag

lnγGe

Xag

lnAg

0,05

12,677

0,95

0,0351

0,1

11,378

0,9

0,1405

0,15

10,149

0,85

0,316

0,2

8,9897

0,8

0,5619

0,25

7,9011

0,75

0,8779

0,3

6,8827

0,7

1,2642

0,35

5,9346

0,65

1,7207

0,4

0

0,6

0

0,45

0

0,55

0

0,5

0

0,5

0

0,55

0

0,45

0

0,6

0

0,4

0

0,65

0

0,35

0

0,7

0

0,3

0

0,75

0,8779

0,25

7,9011

0,8

0,5619

0,2

8,9897

0,85

0,316

0,15

10,149

0,9

0,1405

0,1

11,378

0,95

0,0351

0,05

12,677

 

Рис. 4. Концентрационная зависимость коэффициента активности компонента Ge в твердом растворе

Рис. 5. Концентрационная зависимость коэффициента активности компонента Cu в твердом растворе

 

Рассмотрим жидкий раствор при температуре Т:

Коэффициент активности для твёрдого раствора:

 

 

Таблица 2. Расчет для компонентов Ge и Ag для жидкого раствора

Xag

lnγGe

Xag

lnAg

0,05

-0,308

0

-0,342

0,1

-0,277

0,05

-0,308

0,15

-0,247

0,1

-0,277

0,2

-0,219

0,15

-0,247

0,25

-0,192

0,2

-0,219

0,3

-0,167

0,25

-0,192

0,35

-0,144

0,3

-0,167

0,4

-0,123

0,35

-0,144

0,45

-0,103

0,4

-0,123

0,5

-0,085

0,45

-0,103

0,55

-0,069

0,5

-0,085

0,6

-0,055

0,55

-0,069

0,65

-0,042

0,6

-0,055

0,7

-0,031

0,65

-0,042

0,75

-0,021

0,7

-0,031

0,8

-0,014

0,75

-0,021

0,85

-0,008

0,8

-0,014

0,9

-0,003

0,85

-0,008

0,95

-0,001

0,9

-0,003

1

0,000

0,95

-0,001

Рис. 6. Концентрационная зависимость коэффициента активности компонента Ge в жидком растворе

Рис. 7. Концентрационная зависимость коэффициента активности компонента Ag в жидком растворе

4. Используя Т-х-проекцию диаграммы состояния рассчитать равновесный коэффициент распределения компонента В (примесь) при :

Учитывая, что

 

XAg=0,37 определили по фазовой диаграмме при температуре 1067К.

 

5. Рассчитать и построить спинодали при температурах от Ткомн до Тпл(А). Показать на крупномасштабной Т-х-диаграмме заданной системы области стабильных (равновесных), метастабильных и абсолютно неустойчивых твердых растворов.

Получаем уравнение для спинодалей путем приравнивания к нулю второй производной энергии Гиббса:

Следовательно,

Так как по оси x возрастает атомная доля Ag, то для расчета спинодалей при растворе примеси Ag в Ge берем формулу со знаком минус перед корнем, а при растворе примеси Ge в Ag берем со знаком плюс.

Рис. 7. Линии спинодалей и области растворов.

 

 

Вывод

В общем случае активность компонентов при возрастании температуры экспоненциально уменьшается, а состав определяет то, как быстро происходит спад.

T-x-проекция теоретически рассчитанной диаграммы почти совпадает с экспериментальной. Для описания жидких растворов лучше всего подходит модель квазирегулярных растворов, а для твёрдых растворов – модель регулярного раствора.

Было получено, что для твёрдого и жидкого растворов энтальпия смешения HM˃0, но вместе с этим выполняется следующее |HM|<|TSM|, т.е. в уравнении GM=HM-TSM преобладает по значению энтропийный член, и свободная энергия раствора оказывается меньше свободной энергии механической смеси. В этом случае реализуется диаграмма состояния с непрерывной растворимостью компонентов в твёрдой и жидкой фазах.

Рассчитаны и построены концентрационные зависимости коэффициентов активности и активностей компонентов в твёрдом и жидком растворах при T=const. Активность компонентов при возрастании температуры экспоненциально уменьшается.