: <variant> биполярлық транзистор
Сәуле шығарғыш диодтың әрекеті ... негізделген.<variant> ижекциялық электролюминисенция құбылысына
Светодиод қоректену көзіне шектеуіш кедергі арқылы ... үшін қосылады.<variant> жұмыс токты шектеу үшін
Светодиодтың жарықтық сипаттамасы:<variant> 
СИ жүйесіндегі негізгі өлшем бірліктер:<variant> ампер, кельвин, моль, кандела, радиан, стерадиан
Сигналдық тізбектердің немесе коммутацияның аз тогы бар тізбектердің гальваникалық ағытылуы үшін қолданылатын аспаптар:<variant> оптрондар
Суретте бейнеленген сипаттама: 
<variant> АЖС
Суретте бейнеленген сұлба
: 
<variant> екі каскадты реостатты кернеу күшейткіші
Суретте бейнеленген сұлба:
<variant> екі тактілі қуат күшейткіші
Суретте бейнеленген сұлба: 
<variant> эмиттерлік қайталағыш
Суретте бейнеленген, электрлік сигналдарды күшейтуге арналған құрылғы:<variant> екі p-n ауысуы бар, токты, кернеуді, қуатты күшейтуге арналған аспап
Суретте көрсетілген оптожұп
: 
<variant> диодтық оптрон
Суретте көрсетілген сұлба, бұл - 
<variant> дифференциалды күшейткіш
Суретте көрсетілген сұлба:
<variant> кернеу қайталағышы
Суретте көрсетілген сұлба:
<variant> компаратор
Суретте көрсетілген сұлба:
<variant> күтуші мультивибратор
Суретте көрсетілген сұлба:
<variant> терістемейтін күшейткіш
Суретте көрсетілген сұлба:
<variant> Шмидт триггері
суретте көрсетілген транзистор ... деп аталады <variant> қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор
Суретте көрсетілген транзистор ... деп аталады <variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор
суретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:<variant> индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор
Суреттегі көрсетілген сұлба:
<variant> терістейтін күшейткіш
Сұлбада бейнеленген күшейткіштің атауы
: 
<variant> бастау тізбегінде ығысу көзі бар күшейткіш каскад
Сұлбада диодтардың қолданылуы:
<variant> транзисторлардың жұмыс нүктесін ығыстыруды тудыру үшін
Сұлбада салынған ток күшейткіші: 
<variant> ортақ эмиттермен қосылған қарапайым күшейткіш каскад
Сызықтық сұлба, бұл:<variant> кіріс және шығыс кернеу сигналдары сызықтық оператормен байланысқан сұлба
Сыйымдылық ретінде қолданылатын диод:<variant> варикап
Сэ конденсаторын және Rэ резисторын тұйықтаған кезде, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгерісін суреттеңіз:
<variant> күшейткіштің күшейту коэффициенті үлкейеді
Табалдырықтық кернеу:<variant> Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу
Талап етілген параметрлері бар тікбұрышты қалыптағы импульстерді қалыптастырудың электрондық түйіні:<variant> мультивибратор
талшықтық жарық өткізгіш, бұл –<variant> оптикалық мөлдір шыныдан жасалған жіңішке жіп.
температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузиясы процесінің өту жылдамдығы:<variant> өседі
Теріс кері кернеу ... мүмкіндік береді.<variant> тура сызықты кесінділі апроксимацияланған қисықты жасауға
Терістейтін күшейткіштің кернеу бойынша күшейту коэффициенті:<variant> Kкб= - (Rкб / R)
ТЖК жоғарғы жиіліктердегі амплитудалы-жиіліктік сипаттамасындағы құлаудың түсіндірмесі:<variant> сұлбаның төмен кіріс кедергісімен
Тиристор мен симмистордың вольт-амперлік сипаттамасы:<variant>
тиристорды жабық күйге басқару тогы арқылы жеткізуге болады ма:<variant> болады, егер басқару электродына теріс импульс берсе
тиристордың ауысып қосылуын басқаруды қамтамасыз ететін, сұлба:<variant> бұл р – текті басқару электродына кернеу түсіре отырып, ауыстырып қосу кернеуін реттеуге болатын сұлба
Тиристорлық оптожұптарды ... қолданған дұрысырақ.<variant> үлкен қуатты жоғары вольтты тізбектерден басқарудың логикалық тізбектерінің гальваникалық ағытылуын сақтау үшін
ТКБ бар күшейткіштің кіріс кернеуі мен кері байланыс кернеуінің арасындағы фазалық ығысу:<variant> 180 °
токты беру коэффициенті болып табылатын,h-параметр:<variant> h21
транзисторды заряд тасымалдаушылармен қамтамасыз ететін электрод, ол:<variant> эмиттер
тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару іске асады -<variant> базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу арқылы
туннельдік диодтың вольтамперлік сипаттамасы:<variant> 
Тұрақты ток электронды вольтметрдің қарапайым сұлбасының құрамында болады:<variant> магнитэлектрлік өлшеу механизмі
Үш немесе оданда көп р-n-ауысуы бар, вольт-амперлік сипаттамасында теріс дифференциалдық кедергісі бар жартылай өткізгіш аспап бұл -<variant> тиристор
Үш электродты жартылай өткізгіш, құрылымы екі электронды-кемтіктік ауысудан тұратын аспап бұл -<variant> биполярлық транзистор
Фотоөткізгіштік әсері, яғни жарық кезінде жартылай өткізгіштің кедергісінің өзгеруінде қолданылатын оптожұп:<variant> резисторлық оптрон
Халықаралық бірліктер жүйесіне (БЖ) кіретін бірлік:<variant> Метр
Халықаралық бірліктер жүйесінің құрамында бар:<variant> жеті негізгі бірлік
Шартты белгіленулер: индукцияланған n-арналы және бір ауысулы транзистор<variant> 
Ішкі фотоэффект кезінде болатын жағдайлар:<variant> зат электрондарының қозуы
Электр өлшеу бірлігі:<variant> вольт
Электрмагниттік өрістің параметрлерін анықтауға қолданылатын өлшем бірлігі:<variant> Н/Кл
Электр параметрлерді анықтау үшін қолданылатын өлшем бірлігі:<variant>Ампер
Электрлік және магниттік шамалардың өлшемдер аймағына негізгі бірлік ретінде кіреді:<variant> Миллиампер
Электрлік, механикалық және жылулық шамалардың біріккен өлшем бірлігі:<variant> Ватт
электрондардың дрейфті тогының тығыздығы:<variant> 
эмиттер дегеніміз -<variant> базаға негізгі заряд тасымалдаушылардың инжекциясы болатын транзистор аймағы