Принцип действия транзистора п—р—«-типа аналогичен принципу действия транзистора р—п— p-типа, но полярности ЭДС и направления протекания токов меняются на противоположные.

Дата: 2025-06-02; Просмотры: 15

Оценка:

0.00 из 5.00 — оценок

Скачиваний: 0

Скачать

§ 15.30 ВАХ биполярного транзистора. Свойства каждого транзис­тора определяются двумя основными семействами его ВАХ. Первое семейство характеристик — зависимость тока выходной цепи от напря­жения между электродами транзистора, включенными в выходную цепь, при каком-либо из остальных токов транзистора, взятом в качестве параметра. В качестве параметра может быть взята и любая другая величина, например напряжение между электродами транзистора, включенными в цепь управления. Это семейство описывает свойства транзистора по отношению к выходной цепи. Второе семейство харак­теристик — зависимость тока входной цепи (цепи управления) от напря­жения между электродами транзистора, включенными во входную цепь, при напряжении между электродами, включенными в выходную цепь (или при токе выходной цепи), взятом в качестве параметра. Это семейство характеристик описывает свойства транзистора по отношению к цепи управления.

На рис. 15.22, а качественно изображено семейство выходных харак­теристик z_K = /(^_эк) при параметре /₃ для схемы с общим эмиттером (см. рис. 15.21, а). Правее вертикальной штриховой линии А—А кривые начинают круто подниматься. Это свидетельствует о том; что в данной зоне может произойти пробой транзистора. Поэтому в зоне правее пря­мой А—А работать нельзя.

Расположенная в третьем квадранте кривая 0В иллюстрирует потерю управляемости транзистора при изменении полярности ЭДС в выходной цепи.

При протекании тока по транзистору он нагревается выделяющейся в нем теплотой. Каждый транзистор в зависимости от размеров и усло­вий охлаждения может отдавать в окружающее пространство определен-

а б в

Рис. 15.22

ное количество теплоты. Допустимое количество теплоты, выделяющейся в транзисторе, характеризуется мощностью рассеяния р_к = i_K (дает- ся в каталогах). На рис. 15.22, а пунктиром нанесена гипербола /_к = р_к /г/_эк = Транзистор не перегревается в условиях длительно­го режима в том случае, если рабочая точка находится внутри заштрихо­ванной области (кратковременно можно работать и в области, находящей­ся выше штриховой). На рис. 15.22, б качественно изображено семейство входных характеристик транзистора /_б = /(м_эб) при параметре «_эк в схе­ме с общим эмиттером (см. рис. 15.21, б).

Важно обратить внимание на то, что любой ток транзистора (напри­мер, /_к или z₆) является функцией не одной, а двух переменных. Так, ток является функцией и /_э, ток /_б — функцией и (В § 15.34 это положение будет учтено.)

В радиотехнике свойства транзистора иногда описывают еше так называемой проходной характеристикой i_K = f(u^) (рис. 15.22, в). Ее используют, например, когда ток имеет форму косинусоидальных им­пульсов с отсечкой (в резонансных усилителях мощности, умножителях частоты и других устройствах). Формулы разложения тока i_K на гармо­ники в этом случае приведены в п. 16 вопросов гл. 7 (S — крутизна характеристики).

§ 15.31 Биполярный транзистор в качестве усилителя тока, напряжения, мощ­ности. Транзистор может служить усилителем тока, когда приращение тока управляемой цепи {той, где включен источник ЭДС Е_п) во много раз больше приращения тока управ­ляющей цепи (той, где включен источник ЭДС Е_у) Из трех схем на рис. 15.21 в каче­стве усилителя тока могут быть использованы две: схема с общим эмиттером (см. рис. 15.21, б) и схема с общим коллектором (см. рис. 15.21, в). В обеих схемах током управления является ток базы zg. Током управляемой цепи в схеме с общим эмиттером является ток коллектора /_к, а в схеме с общим коллектором — ток эмиттера

Так как i_K - а (, (см. § 15.29) и i, = 4 + 'б- ^то 'б = ~ \ ~ ~ а) »_э-

При нахождении связи между малыми приращениями токов можно 8 первом прибли­жении принять а = const. Тогда Д/_к=аД/₅; Д/_б = (I-а) Д/_э.