2. Процесс эпитаксии при производстве полупроводниковых интегральных схем. Хлоридный процесс.
Билет 1
1. Термическое вакуумное напыление тонких пленок. Сущность метода, оборудование, материалы.
2. Полупроводниковые материалы для подложек интегральных схем. Параметры. Методы получения. Обозначения.
Билет 2
1. Подложки гибридных интегральных схем и микросборок. Сравнительные параметры материалов.
2. Процесс эпитаксии при производстве полупроводниковых интегральных схем. Хлоридный процесс.
Билет 3
1. Напыление тонких пленок методом катодного и ионно-плазменного распыления. Сущность метода, оборудование.
2. Процесс термического окисления кремния при производстве полупроводниковых интегральных схем. Возможные варианты выполнения.
Билет 4
1. Масочный метод формирования конфигураций тонкопленочных структур. Метод объемной маски. Метод контактной маски. Сравнительные характеристики.
2. Химическое, электролитическое и ионное травление в производстве полупроводниковых интегральных схем. Сравнительные характеристики.
Билет 5
1. Толстопленочные пассивные элементы гибридных интегральных схем. Параметры.
2. Процесс легирования при производстве полупроводниковых интегральных схем. Высокотемпературная диффузия.
Билет 6
1. Метод контактной и бесконтактной фотолитографии. Фоторезисты, фотошаблоны. Основной техпроцесс.
2. Процесс легирования при производстве полупроводниковых интегральных схем. Ионное легирование.
Билет 7
1. Современные методы формирования конфигураций тонкопленочных структур (электронная, ионно-лучевая и рентгенолитография ).
2. Полупроводниковые R и C. Основные параметры и характеристики.
Билет 8
1. Толстопленочная технология. Оборудование и материалы. Основной техпроцесс создания RC – структур.
2. Метод изоляции элементов полупроводниковых интегральных схем. Сравнительные характеристики.
Билет 9
1. Тонкопленочные R, C, L. Материалы, параметры. Танталовая технология.
2. Интегральные диоды и стабилитроны. Структура и основные параметры.
Билет 10
1. Способы защиты полупроводниковых интегральных схем (герметизация корпуса и микрокорпуса).
2. Интегральные n-p-n транзисторы. Конфигурации, рабочие параметры.
Билет 11
1. Интегральные МОП - транзисторы. Структура, особенности технологии изготовления.
2. Основные методы разделения полупроводниковых пластин и подложек гибридных интегральных схем . Сравнительные характеристики.
Билет 12
1. Интегральные КМОП - транзисторы. Структура, рабочие параметры, сравнительные характеристики.
2. Методы микроконтактирования при производстве полупроводниковых интегральных схем и гибридных интегральных схем. Сравнительные характеристики.
Билет 13
1. Комбинированные способы изоляции элементов полупроводниковых интегральных схем (изопланар, V - канавками).
2. Методы монтажа полупроводниковых кристаллов при производстве полупроводниковых интегральных схем и гибридных интегральных схем.
Билет 14
1. Диэлектрическая изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем.
2. Основные технологические операции изготовления полупроводниковых интегральных КМОП – транзисторов.
Билет 15
1. Основные методы проволочного монтажа при изготовлении гибридных интегральных схема, микросборок, и полупроводниковых интегральных схем.
2. Пассивные элементы толстопленочных гибридных интегральных микросхем (микросборок). Основные параметры.
Билет 16
1. Изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем методом обратно-смещенного p-n перехода.
2. Понятие многокристальных модулей (МКМ). Выбор коммутационных плат МКМ. Варианты создания межсоединений.
Билет 17
1. Специфика технологии изготовления КМОП-БИС. Наночипы и основные техпроцессы изготовления.
2. Конструктивно – технологические особенности тонко и толстопленочных полупроводниковых интегральных схем. Сравнительные характеристики.
Билет 18
1. Качество тонкопленочных элементов. Проблемы обеспечения.
2. Технологические методы понижения порогового напряжения интегральных МОП-транзисторов.
Билет 19
1. Качество толстопленочных пассивных элементов гибридных интегральных схем (микросборок).
2. Базовые техпроцессы изготовления полупроводниковых интегральных схем.
Билет 20
1. Параметры качества полупроводниковых интегральных схем и их контроль.
2. Конструктивно – технологические методы повышения быстродействия полупроводниковых интегральных МОП-транзисторов.